PSMN1R0-25YLDX

PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
PSMN1R0-25YLDX P1
PSMN1R0-25YLDX P1
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Nexperia USA Inc. ~ PSMN1R0-25YLDX

부품 번호
PSMN1R0-25YLDX
제조사
Nexperia USA Inc.
기술
PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 PSMN1R0-25YLDX
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 71.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5308pF @ 12V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 Schottky Diode (Body)
전력 발산 (최대) 160W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.89 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669

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