IXDF602D2TR

2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV
IXDF602D2TR P1
IXDF602D2TR P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDF602D2TR

부품 번호
IXDF602D2TR
제조사
IXYS Integrated Circuits Division
기술
2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
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부품 번호 IXDF602D2TR
부품 상태 Active
구동 구성 Low-Side
채널 유형 Independent
드라이버 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압 - 공급 4.5 V ~ 35 V
논리 전압 - VIL, VIH 0.8V, 3V
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A
입력 유형 Inverting, Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) -
상승 / 하강 시간 (일반) 7.5ns, 6.5ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 8-DFN-EP (5x4)

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