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| 부품 번호 | BSP170PH6327XTSA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.9A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 410pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-SOT223-4 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP170PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | - | 0 | 세부 |
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BSP170PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | - | 0 | 세부 |
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BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | 5000 | 세부 | |
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BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | - | 0 | 세부 |