IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
IRLM120ATF P1
IRLM120ATF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ IRLM120ATF

부품 번호
IRLM120ATF
제조사
Fairchild/ON Semiconductor
기술
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
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가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 IRLM120ATF
부품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 440pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 2.7W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.15A, 5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-223-4
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA

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