DMP1055USW-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
DMP1055USW-7 P1
DMP1055USW-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP1055USW-7

부품 번호
DMP1055USW-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
데이터 시트
- DMP1055USW-7 PDF online browsing
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
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제품 매개 변수

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부품 번호 DMP1055USW-7
부품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1028pF @ 6V
Vgs (최대) ±8V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 660mW
Rds On (최대) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 3A, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-363
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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