画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | E4D20120A |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1200V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 54.5A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.8V @ 20A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 200µA @ 1200V |
| 容量Vr、F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
