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| 品番 | VS-GA200TH60S |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | - |
| 構成 | Half Bridge |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 260A |
| 電力 - 最大 | 1042W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.9V @ 15V, 200A (Typ) |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 5µA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 13.1nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Double INT-A-PAK |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | 0 | 詳細 | |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | - | 128 | 詳細 |
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VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | - | 161 | 詳細 |
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VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |