SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SIZ700DT-T1-GE3 P1
SIZ700DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ700DT-T1-GE3

品番
SIZ700DT-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 SIZ700DT-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300pF @ 10V
電力 - 最大 2.36W, 2.8W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-PowerPair™
サプライヤデバイスパッケージ 6-PowerPair™

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