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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SI5975DC-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | - | 0 | 詳細 |
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SI5975DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | - | 0 | 詳細 |