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| 品番 | SI5515CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 800mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 632pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 3.1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | 詳細 |
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SI5515DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 6000 | 詳細 |
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SI5515DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | 詳細 |