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| 品番 | SI4963BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.9A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | - | 15000 | 詳細 |
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SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | - | 0 | 詳細 |