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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6K204FE,LF

品番	SSM6K204FE,LF
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	126 mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	3.4nC @ 10V
Vgs（最大）	±10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	195pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	500mW (Ta)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	ES6
パッケージ/ケース	SOT-563, SOT-666

品番	メーカー	説明	PDF	在庫あり	見る
SSM6K202FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6	-	12000	詳細
SSM6K204FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V ES6	-	453582	詳細
SSM6K211FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6	-	0	詳細
SSM6K217FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6	-	3510	詳細
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SSM6K513NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET NCH 30V 15A UDFNB		9000	詳細
SSM6K514NU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS	-	0	詳細
SSM6K781G,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C	-	0	詳細