NVD5802NT4G-VF01

MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
NVD5802NT4G-VF01 P1
NVD5802NT4G-VF01 P1
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ON Semiconductor ~ NVD5802NT4G-VF01

品番
NVD5802NT4G-VF01
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 NVD5802NT4G-VF01
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16.4A (Ta), 101A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 100nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5300pF @ 12V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.4 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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