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BOM

FQD6N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V DPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FQD6N60CTM-WS
FQD6N60CTM-WS P1
FQD6N60CTM-WS P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ FQD6N60CTM-WS

品番
FQD6N60CTM-WS
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQD6N60CTM-WS PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FQD6N60CTM-WS
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 20nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 810pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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