PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
PMDPB38UNE,115 P1
PMDPB38UNE,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMDPB38UNE,115

品番
PMDPB38UNE,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- PMDPB38UNE,115 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 PMDPB38UNE,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 268pF @ 10V
電力 - 最大 510mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ DFN2020-6

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