BUK9Y7R8-80E,115

MOSFET N-CH 80V LFPAK
BUK9Y7R8-80E,115 P1
BUK9Y7R8-80E,115 P1
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NXP USA Inc. ~ BUK9Y7R8-80E,115

品番
BUK9Y7R8-80E,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 80V LFPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- BUK9Y7R8-80E,115 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 BUK9Y7R8-80E,115
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669

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