A2G22S251-01SR3

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A2G22S251-01SR3 P1
A2G22S251-01SR3 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

NXP USA Inc. ~ A2G22S251-01SR3

品番
A2G22S251-01SR3
メーカー
NXP USA Inc.
説明
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
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品番 A2G22S251-01SR3
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.805GHz ~ 2.2GHz
利得 17.7dB
電圧 - テスト 48V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 200mA
電力出力 52dBm
電圧 - 定格 125V
パッケージ/ケース NI-400S-2S
サプライヤデバイスパッケージ NI-400S-2S

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