IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
IXTP01N100D P1
IXTP01N100D P1
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IXYS ~ IXTP01N100D

品番
IXTP01N100D
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTP01N100D
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 120pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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