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| 品番 | IXTM67N10 |
|---|---|
| 部品ステータス | Last Time Buy |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-204AE |
| パッケージ/ケース | TO-204AE |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IXT-1-1N100S1 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 0 | 詳細 | |
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IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | - | 0 | 詳細 |