IXTH6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
IXTH6N100D2 P1
IXTH6N100D2 P2
IXTH6N100D2 P1
IXTH6N100D2 P2
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IXYS ~ IXTH6N100D2

品番
IXTH6N100D2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXTH6N100D2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 95nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2650pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3

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