IXFP12N65X2

MOSFET N-CH
IXFP12N65X2 P1
IXFP12N65X2 P1
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IXYS ~ IXFP12N65X2

品番
IXFP12N65X2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFP12N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18.5nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1134pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 180W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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