IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFN100N10S3 P1
IXFN100N10S3 P1
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IXYS ~ IXFN100N10S3

品番
IXFN100N10S3
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFN100N10S3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 180nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4500pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 360W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC

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