画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IXFH21N50 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 160nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 250 mOhm @ 10.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD (IXFH) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | 詳細 |
 |
IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
 |
IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | 詳細 |
 |
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | 詳細 | |
 |
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | 詳細 |
 |
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | 詳細 |
 |
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | 詳細 | |
 |
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | 詳細 | |
 |
IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | 詳細 |
 |
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | 詳細 | |
 |
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | 詳細 |
 |
IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | 詳細 |