IXFB80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
IXFB80N50Q2 P1
IXFB80N50Q2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXFB80N50Q2

品番
IXFB80N50Q2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFB80N50Q2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 80A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 8mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 250nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 15000pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 960W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 60 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA

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