IXFB70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
IXFB70N60Q2 P1
IXFB70N60Q2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXFB70N60Q2

品番
IXFB70N60Q2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFB70N60Q2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 8mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 265nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 12000pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 890W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 88 mOhm @ 35A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA

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