SPN01N60C3

MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
SPN01N60C3 P1
SPN01N60C3 P1
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Infineon Technologies ~ SPN01N60C3

品番
SPN01N60C3
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
SPN01N60C3.pdf SPN01N60C3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 SPN01N60C3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 300mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 100pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA

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