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| 品番 | SPD03N60C3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 135µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 38W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SPD03N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | - | 17317 | 詳細 |
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SPD03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | 5000 | 詳細 | |
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SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK | 0 | 詳細 |