IRF7465TRPBF

MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
IRF7465TRPBF P1
IRF7465TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7465TRPBF

品番
IRF7465TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF7465TRPBF.pdf IRF7465TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF7465TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 330pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 280 mOhm @ 1.14A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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