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| 品番 | IRF5210STRLPBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 230nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2780pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 38A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF520 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 | 0 | 詳細 | |
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IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 0 | 詳細 | |
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IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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IRF520NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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IRF520NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 1902 | 詳細 | |
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IRF520NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF520NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF520NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 800 | 詳細 | |
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IRF520NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF520NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF520PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |