IPP60R299CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
IPP60R299CPXKSA1 P1
IPP60R299CPXKSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPP60R299CPXKSA1

品番
IPP60R299CPXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPP60R299CPXKSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPP60R299CPXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 440µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1100pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 96W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 299 mOhm @ 6.6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3

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