IPP600N25N3 G

MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
IPP600N25N3 G P1
IPP600N25N3 G P1
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Infineon Technologies ~ IPP600N25N3 G

品番
IPP600N25N3 G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPP600N25N3 G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPP600N25N3 G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 25A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 90µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2350pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 136W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース TO-220-3

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