画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IPDD60R190G7XTMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 210µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 718pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 76W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HDSOP-10-1 |
| パッケージ/ケース | 10-PowerSOP Module |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPDD60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10 | - | 11529 | 詳細 |
|
IPDD60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 | - | 17630 | 詳細 |
|
IPDD60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10 | - | 22235 | 詳細 |
|
IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10 | - | 28573 | 詳細 |
|
IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 | - | 34631 | 詳細 |
|
IPDD60R190G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 | - | 44447 | 詳細 |