IPD90N03S4L-02

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-02 P1
IPD90N03S4L-02 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPD90N03S4L-02

品番
IPD90N03S4L-02
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPD90N03S4L-02
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 90A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 90µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 140nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9750pF @ 25V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 136W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 mOhm @ 90A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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