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| 品番 | IPD036N04L G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 45µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 78nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6300pF @ 20V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 94W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.6 mOhm @ 90A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3 | - | 5000 | 詳細 |
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IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPD031N03M G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPD031N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 57248 | 詳細 |
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IPD033N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | - | 0 | 詳細 |
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 10000 | 詳細 |
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IPD034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | - | 85720 | 詳細 |
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IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 0 | 詳細 | |
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IPD036N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 5000 | 詳細 |
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IPD036N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 110763 | 詳細 |