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| 品番 | IPC045N10L3X1SA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tj) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.1V @ 33µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sawn on foil |
| パッケージ/ケース | Die |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPC045N10L3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE | 0 | 詳細 | |
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IPC045N10N3X1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE | 0 | 詳細 |