IPB60R600C6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
IPB60R600C6 P1
IPB60R600C6 P1
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Infineon Technologies ~ IPB60R600C6

品番
IPB60R600C6
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPB60R600C6 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPB60R600C6
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 200µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 440pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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