IPA65R190CFD

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
IPA65R190CFD P1
IPA65R190CFD P1
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Infineon Technologies ~ IPA65R190CFD

品番
IPA65R190CFD
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPA65R190CFD
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 730µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 68nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1850pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 34W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack

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