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Infineon Technologies ~ BSC046N02KSGAUMA1

品番	BSC046N02KSGAUMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	19A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	4.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 110µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	27.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4100pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.8W (Ta), 48W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN

BSC046N02KSGAUMA1