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| 品番 | BGSF110GN26E6327XTSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 周波数 - 下限 | 100MHz |
| 頻度 - 上位 | 3.8GHz |
| アイソレーション@周波数 | 40dB @ 3GHz (typ) |
| 挿入損失@周波数 | 1.3dB @ 3GHz |
| IIP3 | - |
| トポロジー | - |
| 回路 | SP10T |
| P1dB | - |
| 特徴 | - |
| インピーダンス | 50 Ohm |
| 動作温度 | -30°C ~ 85°C |
| 電圧 - 供給 | 2.4 V ~ 3.3 V |
| RFタイプ | GSM, LTE, W-CDMA |
| パッケージ/ケース | 26-WFQFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSNP-26-2 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BGSF110GN26E6327XTSA1 | Infineon Technologies | IC SWITCH RF 26TSNP | 0 | 詳細 |