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| 品番 | GD5F2GQ4UFYIGY |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 2Gb (256M x 8) |
| クロック周波数 | 120MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 700µs |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | SPI - Quad I/O |
| 電圧 - 供給 | 2.7V ~ 3.6V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-WSON (6x8) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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GD5F2GQ4RF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | - | 18078 | 詳細 |
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GD5F2GQ4UEYIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | - | 18078 | 詳細 |
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GD5F2GQ4UEYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | - | 18621 | 詳細 |
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GD5F2GQ4UF9IGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | - | 18078 | 詳細 |
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GD5F2GQ4UFYIGY | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | SPI NAND FLASH | - | 18621 | 詳細 |