GD25S512MDBIGY

NOR FLASH
GD25S512MDBIGY P1
GD25S512MDBIGY P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD25S512MDBIGY

品番
GD25S512MDBIGY
メーカー
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
説明
NOR FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
メモリ
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品番 GD25S512MDBIGY
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NOR
メモリー容量 512Mb (64M x 8)
クロック周波数 104MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 50µs, 2.4ms
アクセス時間 -
メモリインターフェイス SPI - Quad I/O
電圧 - 供給 2.7V ~ 3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 24-TBGA
サプライヤデバイスパッケージ 24-TFBGA (6x8)

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