MBRT60035RL

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
MBRT60035RL P1
MBRT60035RL P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ MBRT60035RL

品番
MBRT60035RL
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MBRT60035RL.pdf MBRT60035RL PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - アレイ
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製品パラメータ

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品番 MBRT60035RL
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ Schottky
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 35V
電流 - 平均整流(Io)(ダイオードあたり) 300A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 600mV @ 300A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 3mA @ 35V
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Three Tower
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower

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