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BOM

1N8024-GA

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N8024-GA
1N8024-GA P1
1N8024-GA P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ 1N8024-GA

品番
1N8024-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
1N8024-GA.pdf 1N8024-GA PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 1N8024-GA
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 1200V
電流 - 平均整流（Io） 750mA
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.74V @ 750mA
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） 0ns
電流 - 逆リーク（Vr） 10µA @ 1200V
容量Vr、F 66pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-257-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-257
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C

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