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BOM

NDS8858H

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › NDS8858H
NDS8858H P1
NDS8858H P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Fairchild/ON Semiconductor ~ NDS8858H

品番
NDS8858H
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NDS8858H.pdf NDS8858H PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 NDS8858H
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.3A, 4.8A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.8V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 720pF @ 15V
電力 - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
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