HGTP5N120BND

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
HGTP5N120BND P1
HGTP5N120BND P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HGTP5N120BND

品番
HGTP5N120BND
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- HGTP5N120BND PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 HGTP5N120BND
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 21A
電流 - コレクタパルス(Icm) 40A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 5A
電力 - 最大 167W
スイッチングエネルギー 450µJ (on), 390µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 53nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 22ns/160ns
テスト条件 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 65ns
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB

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