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BOM

FQD1N80TM

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FQD1N80TM
FQD1N80TM P1
FQD1N80TM P2
FQD1N80TM P1
FQD1N80TM P2
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Fairchild/ON Semiconductor ~ FQD1N80TM

品番
FQD1N80TM
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FQD1N80TM PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FQD1N80TM
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 7.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 195pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 20 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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