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品番 | FDMC86261P |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 150V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.7A (Ta), 9A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 6V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 24nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1360pF @ 75V |
Vgs(最大) | ±25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 160 mOhm @ 2.4A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3), Power33 |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |