FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
FDG410NZ P1
FDG410NZ P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDG410NZ

品番
FDG410NZ
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDG410NZ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 535pF @ 10V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 420mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-6
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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