EPC2107

MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
EPC2107 P1
EPC2107 P1
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EPC ~ EPC2107

品番
EPC2107
メーカー
EPC
説明
MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- EPC2107 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 EPC2107
部品ステータス Active
FETタイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.7A, 500mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA (1.35x1.35)

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