EPC2035

TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
EPC2035 P1
EPC2035 P1
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EPC ~ EPC2035

品番
EPC2035
メーカー
EPC
説明
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 EPC2035
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 800µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 1.15nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 115pF @ 30V
Vgs(最大) +6V, -4V
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 45 mOhm @ 1A, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die

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